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項目位于江蘇省無錫市新吳區(qū)，基礎(chǔ)建設投資3.5億美元。項目建成后，將引入年產(chǎn)126萬片8英寸非存儲晶圓生產(chǎn)線，該項目的啟動鞏固了無錫作為“國家南方微電子工業(yè)基地中心”地位，也進一步奠定了無錫在全國集成電路領(lǐng)域的領(lǐng)先位置。

項目用地位于江蘇省無錫市新區(qū)長江路以西、香山路以北，可建設用地面積約23898平方米?；氐匦纹教?，呈長方形，南東約40度，南北方向約130米，東西方向約180米。東側(cè)為10米市政綠帶，同時東側(cè)規(guī)劃有城市地下軌道交通線及站點。長江路寬46m，香山路寬14m，圍墻后退長江路10m，后退香山路5m。沿長江路、香山路可開設機動車出入口，且機動車出入口距離道路交叉口距離不小于80m。距離東北側(cè)邊界約27m有軌道交通控制線，該范圍基地內(nèi)不得建造建筑物。各方向退界要求詳見總平面退界控制線。設計內(nèi)容：為二級綜合醫(yī)院分二次建設。本次建設44380平方米，包括一棟門急診醫(yī)技住院大樓（地上七層，地下一層）、地下車

本項目名稱為未來匯，主要建筑功能為商業(yè)、辦公等?？偨ㄖ娣e54288平方米，其中地上建筑面積38347平方米，地下建筑面積15941平方米。本工程設計標高±0.000相當于黃海高程68.660m，建筑物室內(nèi)外高差為0.15m，本工程地下三層為核6常6人防地下室

項目名稱：南通市唐閘古鎮(zhèn)—一八九五園區(qū)周邊建筑修繕改造項目建設地點：南通市唐閘古鎮(zhèn)—一八九五園區(qū)周邊—北市街沿街本項目為北市街沿街原有清末木構(gòu)建筑（A-C號建筑）及建過以后按照前面式樣仿建的混凝土建筑（D、E號建筑）修繕。建筑包括北市街沿街A-E號建筑。主要技術(shù)經(jīng)濟指標：AB號建筑面積平方米709平方米，地上二層，建筑高度9.200米(入口地面至屋脊)，屋面防水等級二級結(jié)構(gòu)設計使用年限為50年，木結(jié)構(gòu)體系，抗震設防烈度7度。C號建筑面積平方米478平方米，地上二層，建筑高度9.310米(入口地面至屋脊)，屋面防水等級二級結(jié)構(gòu)設計使用年限為50年，木結(jié)構(gòu)體系，抗震設防烈度7度。

本項目位于無錫新吳區(qū)，是一家高科技集成電路芯片代工企業(yè)。華虹半導體（無錫）有限公司華虹無錫項目地點為：無錫市新吳區(qū)錫興路以東、新洲路以南、312國道以西地塊，本項目擬新建一條半導體生產(chǎn)線，主要從事非揮發(fā)性存儲器、先進射頻技術(shù)、高端電源管理等相關(guān)超大規(guī)模集成電路芯片制造。